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AM29F040B-70JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F040B-70JC
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 372 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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P ř Ë L I M I N A RŸ
该器件进入CMOS待机模式时,
CE#引脚保持在V
CC
±
为0.5V (注意,这是一个更
限制电压范围比V
IH
) ,器件进入
当CE#保持在V的TTL待机模式
IH
。该
设备要求的标准访问时间(t
CE
)前
准备读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明,该器件消耗的有功电流,直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
输出禁止模式
当OE #输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
表2中。
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
扇区地址表
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–7FFFFh
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
注意:
所有部门都为64 KB大小。
自选模式
自选模式提供了制造商和脱离
副识别和部门保护验证,
通过DQ7 - DQ0识别码输出。这
模式主要用于编程设备
自动匹配的设备与被编程
其相应的规划算法。不过,
自动选择的代码,也可以在系统访问
通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择
模式需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)地址引脚
A9 。地址引脚A6, A1和A0必须如所示
自选代码(高压法)表。此外
化,检验部门的保护时,该部门AD-
礼服必须出现在最适当的顺序
地址位。参考相应的扇区AD-
着装表。该命令定义表所示
剩下的地址位是不在乎。当所有
必要位已被设置为需要的编程
那么明设备可以读取相应的
识别代码DQ7 - DQ0 。
访问自动选择代码在系统中,主机
系统可以发出通过自选命令
命令寄存器,如图所示,在命令Defini-
系统蒸发散表。此方法不需要V
ID
。看
“命令定义”有关使用autose-细节
择模式。
Am29F040B
7