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    M42000002V 参数 Datasheet PDF下载

    M42000002V图片预览
    型号： M42000002V
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    内容描述： 64兆位（8M ×8位/ 4米x 16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存和4兆位（ 256千×16位），静态RAM [64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (256 K x 16-Bit) Static RAM]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 61 页 / 1027 K
    品牌： AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
     浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第9页  
    P R E L I M I N A R Y
    Latchup Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
    Package Pin Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
    flash Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
    SRAM Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
    Figure 33. CE1#s Controlled Data Retention Mode........................ 58
    Figure 34. CE2s Controlled Data Retention Mode......................... 58
    Physical Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
    FLB073—73-Ball Fine-Pitch Grid Array 8 x 11.6 mm ............. 59
    Revision Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
    4
    Am42DL6404G
    March 20, 2002

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