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A800DB12UF 参数 Datasheet PDF下载

A800DB12UF图片预览
型号: A800DB12UF
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 46 页 / 1066 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Table 10. Read Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
Std  
Description  
Test Setup  
-90  
-100  
-120  
-150  
Unit  
90  
(Note 3)  
tAVAV  
tRC  
Read Cycle Time (Note 1)  
Address to Output Delay  
Chip Enable to Output Delay  
Min  
Max  
Max  
100  
120  
150  
ns  
CE# = VIL  
OE# = VIL  
90  
(Note 3)  
tAVQV  
tACC  
100  
120  
150  
ns  
ns  
90  
(Note 3)  
tELQV  
tCE  
OE# = VIL  
100  
35  
120  
50  
150  
65  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
tOE  
tDF  
tDF  
Output Enable to Output Delay  
Chip Enable to Output High Z (Note 1)  
Output Enable to Output High Z (Note 1)  
Max  
Max  
Max  
Min  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
16  
16  
0
Read  
Output Enable  
Hold Time (Note 1)  
tOEH  
Toggle and  
Data# Polling  
Min  
Min  
30  
0
ns  
ns  
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,  
Whichever Occurs First (Note 1)  
tAXQX  
tOH  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See Figure 11, on page 27 and Table 8 on page 27 for test specifications  
3. VCC min. = 1.7V  
.
t
RC  
Addresses Stable  
Addresses  
CE#  
t
ACC  
t
D
t
OE  
OE#  
t
OEH  
WE#  
t
CE  
t
O
HIGH Z  
HIGH Z  
Output Valid  
Outputs  
RESET#  
RY/BY#  
0 V  
Figure 13. Read Operations Timings  
28  
Am29SL800D  
27546A6 January 23, 2007  
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