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A160CT12VF 参数 Datasheet PDF下载

A160CT12VF图片预览
型号: A160CT12VF
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 1031 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std.  
tWC  
tAS  
Description  
Write Cycle Time (Note 1)  
-100  
-120  
120  
0
-150  
Unit  
ns  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
100  
150  
tAVEL  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
ns  
tELAX  
tAH  
50  
50  
60  
60  
0
70  
70  
ns  
tDVEH  
tEHDX  
tDS  
ns  
tDH  
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHEL  
tGHEL  
Min  
0
ns  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tEHEL  
tWS  
tWH  
tCP  
WE# Setup Time  
WE# Hold Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
0
CE# Pulse Width  
CE# Pulse Width High  
50  
60  
30  
10  
12  
70  
tCPH  
Byte  
Programming Operation  
(Notes 1, 2)  
µs  
Word  
tWHWH1  
tWHWH1  
Accelerated Program Operation, Byte or Word  
(Note 2)  
Typ  
Typ  
8
2
µs  
tWHWH2  
Notes:  
tWHWH2  
Sector Erase Operation (Notes 1, 2)  
sec  
1. Not 100% tested.  
2. See “Erase And Programming Performance” on page 46 for more information.  
44  
Am29SL160C  
21635C5 January 23, 2007  
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