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A160CT12VF 参数 Datasheet PDF下载

A160CT12VF图片预览
型号: A160CT12VF
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 1031 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Enter  
Embedded  
Erasing  
Erase  
Suspend  
Enter Erase  
Suspend Program  
Erase  
Resume  
Erase  
Erase Suspend  
Read  
Erase  
Suspend  
Program  
Erase  
Complete  
WE#  
Erase  
Erase Suspend  
Read  
DQ6  
DQ2  
Note: The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an  
erase-suspended sector.  
Figure 21. DQ2 vs. DQ6  
Temporary Sector Unprotect  
Parameter  
JEDEC  
Std  
tVIDR  
tVHH  
Description  
VID Rise and Fall Time  
All Speed Options  
Unit  
ns  
Min  
Min  
500  
500  
VHH Rise and Fall Time  
ns  
RESET# Setup Time for Temporary Sector  
Unprotect  
tRSP  
Min  
4
µs  
VID  
RESET#  
0 or 1.8 V  
tVIDR  
0 or 1.8 V  
tVIDR  
Program or Erase Command Sequence  
CE#  
WE#  
tRSP  
RY/BY#  
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram  
42  
Am29SL160C  
21635C5 January 23, 2007  
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