第6章:在Cyclone III器件系列的I / O特性
华侨城支持
6–9
示出了OCT校准块放置的顶层视图。
图6-3 。的Cyclone III器件系列华侨城座布局
I / O块8
I / O块7
I / O库1
I / O组6
与I / O库
校准块
的Cyclone III器件系列
I / O组2
I / O块5
没有I / O库
校准块
校准块
复盖
I / O组3
I / O块4
每个校准模块带有一对
RUP
和
RDN
销。当用于
校准,所述
RUP
销被连接到V
CCIO
通过外部25 - Ω± 1%或
50 Ω± 1 %的电阻为25的片上串行匹配值
或50
,
分别。该
RDN
销通过外部25 - Ω± 1 %或50 - Ω连接到GND
± 1 %的电阻为25的片上串行匹配值
或50
上。该
外部电阻与使用比较器的内部电阻相比。该
比较器的得到的输出用于由OCT校准块
动态调整缓冲区阻抗。
在校准过程中,的阻力
RUP
和
RDN
销各不相同。有关的估计
最大可能的电流通过外部校准电阻器,假设一个
0最小电阻
对
RUP
和
RDN
在校准过程中引脚。
2012年7月
Altera公司。
的Cyclone III器件手册
第1卷