AS6WA5128
®
数据保持特性（在整个工作范围内）
13,5
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
测试条件
V
CC
= 1.2V
CS
≥
V
CC
= 0.1V或
V
IN
≥
V
CC
= 0.1V或
V
IN
≤
0.1V
民
1.2V
–
0
t
RC
最大
3.6
4
–
–
ns
单位
V
mA
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC
t
CDR
CS
V
IH
V
DR
V
IH
V
DR
≥
1.2V
V
CC
t
R
交流测试负载和波形
V
CC
产量
30 pF的
R2
INCLUDING
夹具
范围
INCLUDING
夹具
范围
R1
V
CC
产量
5 pF的
R2
V
CC
典型值
GND
(b)
戴维南等效：
R1
产量
所有的输入脉冲
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
(c)
90%
10%
R
TH
V
(a)
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
笔记
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
CC
= 3.0V
1105
1550
645
1.75V
V
CC
= 2.5V
16670
15380
8000
1.2V
V
CC
= 2.0V
15294
11300
6500
0.85V
单位
欧
欧
欧
伏
在V
CC
电时，一个上拉电阻到V
CC
在CS是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
对于测试环境，请见
AC测试条件。
t
CLZ
和T
CHZ
用C指定
L
= 5pF的，如图C.转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
此参数是保证，但未经测试。
WE为高的读周期。
CS和OE是低电平的读周期。
地址有效之前或与CS变为低电平一致。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CS或我们必须在地址转换高。无论是CS还是我们主张高结束写周期。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
不适用。
1.2V数据保留适用于商用和工业温度范围内操作。
C = 30pF的，除了在高Z和低Z参数，其中C = 5pF的。
6
半导体联盟
10/6/00
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
