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    AS6WA5128 参数 Datasheet PDF下载

    AS6WA5128图片预览
    型号： AS6WA5128
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0V至3.6V 512K 】 8 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM [3.0V to 3.6V 512K 】 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 148 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS6WA5128的Datasheet PDF文件第9页  
    AS6WA5128
    ®
    推荐工作条件（在工作范围内）
    参数
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IX
    I
    OZ
    I
    CC
    描述
    输出高电压
    输出低电压
    输入高电压
    输入低电压
    输入负载电流
    输出负载电流
    V
    CC
    工作电源
    当前
    I
    OH
    = -2.1mA
    I
    OL
    = 2.1毫安
    测试条件
    V
    CC
    = 3.0V
    V
    CC
    = 3.0V
    V
    CC
    = 3.0V
    V
    CC
    = 3.0V
    GND < V
    IN
    ＆ LT ; V
    CC
    GND < V
    O
    ＆ LT ; V
    CC
    ;输出高阻
    CS = V
    IL
    ,
    I
    OUT
    = 0毫安， F = 0 ，
    V
    IN
    = V
    IL
    或V
    IH
    V
    CC
    = 3.6V
    2.2
    –0.5
    –1
    –1
    民
    2.4
    0.4
    V
    CC
    + 0.5
    0.8
    +1
    +1
    2
    最大
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    I
    CC1
    @
    1兆赫
    CS < 0.2V ，V
    IN
    ＆ LT ;
    平均V
    CC
    操作
    0.2V,
    电源电流为1
    或V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V,
    兆赫
    F = 1毫秒
    平均V
    CC
    操作CS
    ≠
    V
    IL
    , V
    IN
    = V
    IL
    电源电流
    或V
    IH
    , f = f
    最大
    V
    CC
    = 3.6V
    5
    mA
    I
    CC2
    V
    CC
    = 3.6V （ 55纳秒）
    40
    mA
    I
    SB
    CS掉电
    电流; TTL输入
    CS > V
    IH
    ，其他投入
    = 0V – V
    CC
    CS > V
    CC
    – 0.2V,
    其他输入= 0V -
    V
    CC
    , f = f
    最大
    CS > V
    CC
    – 0.1V,
    f=0
    V
    CC
    = 3.6V
    100
    µA
    I
    SB1
    CS掉电
    电流; CMOS输入
    V
    CC
    = 3.6V
    20
    µA
    I
    SBDR
    数据保留
    V
    CC
    = 1.2V
    2
    µA
    电容（ F = 1兆赫，T
    a
    =室温，V
    CC
    =标称）
    2
    参数
    输入电容
    I / O容量
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    信号的
    A,
    CS
    ,
    WE
    ,
    OE
    I / O
    测试条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    IN
    = V
    OUT
    = 0V
    最大
    5
    7
    单位
    pF
    pF
    10/6/00
    半导体联盟
    3

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