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AS6UA51216 参数 Datasheet PDF下载

AS6UA51216图片预览
型号: AS6UA51216
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内容描述: 1.65V至3.6V 512K 】 16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能 [1.65V to 3.6V 512K】16 Intelliwatt low power CMOS SRAM with one chip enable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 122 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS6UA51216
读周期(在整个工作范围内)
–55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CS )访问时间
输出使能( OE )的访问
时间
从地址输出保持
变化
CS
在低Z O输出
–70
最大
55
55
25
20
55
20
20
55
70
10
10
0
5
10
0
0
0
最大
70
70
35
20
70
20
20
70
100
15
10
0
5
10
0
0
0
–100
最大
100
100
50
20
100
20
20
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
55
10
10
0
5
10
0
0
0
CS高到高Z输出
OE低到低Z输出
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CS , OE , UB , LB控制)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
LZ
LB , UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACS
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
6/27/00