超前信息
2000年6月
AS6UA51216
1.65V至3.6V 512K × 16 Intelliwatt ™低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
特点
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•
AS6UA51216
Intelliwatt ™有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字× 16位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
1.65V至2.3V ，在100纳秒
低功耗： ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
- 28毫瓦，在2.3 V和100纳秒
•低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
- 41
µ
W（最大值） ，在2.7V
- 28
µ
W（最大值） ，在2.3V
• 1.2V数据保留
•平等接入和周期时间
•易于扩展内存与CS ， OE输入
•最小尺寸封装
- 48球FBGA
- 400万44针TSOP II
• ESD保护
≥
2000伏
•闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
DD
512K × 16
ARRAY
(8,388,608)
V
SS
销装置（顶视图）
44引脚400密耳的TSOP II
A4
1
A5
44
A3
2
43
A6
A2
3
42
A7
A1
4
41
OE
5
A0
UB
40
LB
6
39
CS
I/O16
I/O1
7
38
I/O15
I/O2
8
37
I/O14
I/O3
9
36
I/O13
I/O4
10
35
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
I/O5
13
32
I/O12
I/O6
I/O11
14
31
I/O7
I/O10
15
30
I/O8
I/O9
16
29
WE
A8
17
28
A18
18
A9
27
A17
A10
19
26
A16
20
25
A11
A15
21
A12
24
A14
22
A13
23
注： “模式”垫要被放置销33和34以及11和12之间，
短路。这种垫V的结合
CC
或V
SS
配置该设备。应该
仅是44 + 2 + 2焊盘的芯片上。两个额外的V
CC
从分离出阵列
外围设备和双模垫。
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
A18
UB
OE
LB
CS
48 -CSP球栅阵列封装
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
A18
2
3
OE
A0
A3
UB
I / O11 A5
I / O12 A17
I / O13 V
SS
I / O14 A14
NC
A12
A8
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6UA51216
AS6UA51216
AS6UA51216
民
(V)
2.7
2.3
1.65
典型值
2
(V)
3.0
2.5
2.0
最大
(V)
3.6
2.7
2.3
速度
（纳秒）
55
70
100
功耗
工作（我
CC1
)
马克斯（毫安）
2
1
1
待机（我
SB2
)
MAX （
µ
A)
20
15
12
6/27/00
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1
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