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AS6C4008-55TIN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS6C4008-55TIN
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内容描述: 512K ×8位低功耗512K ×8位低功耗CMOS SRAM [512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管PC
文件页数/大小: 15 页 / 2758 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2007年10月
修订版1.1
AS6C4008
512K ×8位低功耗CMOS SRAM
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25?
电容
(T
A
= 25
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能,以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
分钟。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
马克斯。
AS6C4008-55
分钟。
马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
单位
分钟。
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
分钟。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
马克斯。
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
AS6C4008-55
分钟。
马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
单位
分钟。
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2007年10月10日, 1.1版
联盟存储器公司,
第15个5