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AS6C4008-55TIN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS6C4008-55TIN
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内容描述: 512K ×8位低功耗512K ×8位低功耗CMOS SRAM [512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管PC
文件页数/大小: 15 页 / 2758 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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2007年10月
2007年1月
AS6C4008
512K ×8
CMOS SRAM
512K ×8位低功耗
位低功耗CMOS SRAM
特点
访问时间: 55 ns的
低功耗:
Operatingcurrent : 30 / 20毫安( TYP 。 )
待机电流: 4 μA (典型值)C -版
单2.7V 〜 5.5V单电源供电
完全兼容所有5V竞争对手产品
完全兼容所有的竞争对手3.3V产品
全静态操作
三态输出
数据保持电压: 2.0V ( MIN )
所有产品符合RoHS
封装的32引脚450密耳SOP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
:
32-pin
600万P- DIP
:
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
未来
*36-ball
采用6mm x 8毫米TFBGA
快!
*
概述
该AS6C4008是4,194,304位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
524,288字由8位。它使用非常捏造
高性能,高可靠性的CMOS技术。
其待机电流的范围内稳定
工作温度。
该AS6C4008是精心设计的功耗非常低
系统的应用,并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
吨他AS6C4008单电源工作
供应2.7V 〜 5.5V
.
功能框图
引脚说明**
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
无连接
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE#
WE#
OE #
V
CC
V
SS
NC
VCC
VSS
A0-A18
解码器
512Kx8
存储阵列
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE#
WE#
OE #
控制
电路
10月/ 10月/ 07 V.1.1
联盟存储器公司
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