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AS6C3216-55TIN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS6C3216-55TIN
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内容描述: 32M位( 2Mx16 / 4Mx8切换)低功耗CMOS SRAM [32M Bits ( 2Mx16 / 4Mx8 Switchable) LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 13 页 / 442 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS6C3216
1.0版
32M位( 2Mx16 / 4Mx8切换)低功耗CMOS SRAM
电容
(T
A
= 25 ℃ , F = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能,以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
LB # , UB #访问时间
LB # , UB #到输出高阻态
LB # , UB #为低阻抗输出
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
LB # , UB #有效的写操作的结束
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
t
BA
t
BHZ
*
t
BLZ
*
AS6C3216-55
分钟。
马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
-
55
-
25
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
t
BW
AS6C3216-55
分钟。
马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
45
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
内存联盟公司
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