AS6C3216
1.0版
32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE＃
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃ OE ＃
X
X
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
X
H
H
H
L
L
L
X
X
X
L
X
WE＃
X
X
X
H
H
H
H
H
H
L
L
L
H
L
磅＃
X
X
H
L
X
X
L
H
L
L
H
L
X
X
UB ＃
X
X
H
X
L
X
H
L
L
H
L
L
X
X
I / O操作
DQ0 - DQ7 DQ8 - DQ14 DQ15
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
D
OUT
高 - Z高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - Z高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
DOUT
DIN
高 - z
高 - z
A-1
A-1
供应
当前
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
写
BYTE ＃
读
字节＃
写
注意：
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
I
CC
- 55
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
电源电流
周期时间= 1μs的时间
CE＃
≦
0.2V和CE2
≧
V
CC
-0.2V
I
CC1
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
其他引脚在V
IL
或V
IH
待机功耗
CE＃
≧V
CC
-0.2V
电源电流
I
SB1
-SLI
或CE2
≦
0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
分钟。
2.7
2.2
- 0.2
-1
-1
2.2
-
-
典型值。
3.0
-
-
-
-
2.7
-
45
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
80
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
-
10
20
mA
-
-
0.3
10
2
120
mA
µA
内存联盟公司
4
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
