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该AS29F040是组织为512K字节的每一个8位的4兆， 5伏专用闪存设备。对于灵活的擦除
程序的能力，在4兆比特的数据被划分成8 64K字节扇区。在× 8数据出现在DQ0 - DQ7 。该
AS29F040在JEDEC标准的32引脚TSOP和32引脚PLCC封装。本设备被设计为被编程的
删除在系统与单一5.0V V
CC
供应量。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该AS29F040提供55/70/90/120/150纳秒的存取时间，从而允许高速微处理器0等待状态的操作。对
消除总线争用的设备已单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能（OE ）的控制
该AS29F040与JEDEC单电源闪存标准完全兼容。写命令到命令寄存器
使用标准的微处理器写时序。内部状态机使用寄存器的内容来控制擦除和编程
电路。写周期内部也锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读取数据
操作从设备中相同的方式与其他闪存或EPROM器件。程序指令序列被用于调用
自动化的芯片上的编程算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
擦除命令序列被用于调用自动化片上擦除算法， preprograms扇区，如果它不是
已编程执行擦除操作，次擦除脉冲宽度之前，验证正确的电池余量。
扇区擦除架构允许指定的存储扇区被擦除和重新编程，而无需更改数据在其他行业
s.
一个扇区通常会删除和1.0秒内验证。硬件扇区保护禁止两个方案和擦除操作
八个扇区的任何或所有组合。该器件提供了真正的背景擦除与擦除挂起，这使擦除
暂停操作，以在屏幕上读取的数据或程序数据到一个没有被擦除的扇区。将芯片擦除命令
自动删除所有未受保护的行业。
一个出厂AS29F040完全擦除（所有位= 1 ） 。编程操作设置比特为0的数据被编程到
阵列一个字节中的任何序列和跨越扇区边界的时候。一个扇区，必须先擦除，以位从0更改为1擦除
返回一个扇区的擦除状态的所有字节（比特= 1）。每个部门与其他部门没有影响独立擦除。
该器件具有用于读取单一5.0V电源工作，写和擦除功能。内部生成和调节
提供了用于将编程电压及擦除操作。低V
CC
检测期间自动禁止写操作
电源transtitions 。 DQ7或触发位（ DQ6 ）的数据轮询可被用来检测停止使用，编程或擦除操作。该
装置自动复位程序后读取模式和/或擦除操作完成。
该AS29F040抵抗意外删除或电源转换产生的杂散编程信号。控制寄存器
架构允许存储内容的变更仅成功完成特定的命令序列之后。中
电时，该设备被设置为当与所有程序读取模式和/或擦除命令禁用V
CC
小于V
LKO
（锁定
电压）。命令寄存器不受由小于5纳秒上的OE ，CE或WE的噪声脉冲。 CE和WE必须是逻辑
零和OE逻辑一开始写命令。
该AS29F040使用福勒- Nordheim隧穿一个部门同时向电擦除所有位。字节的程序
1 ，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
