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AS29F040-150T 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-150T图片预览
型号: AS29F040-150T
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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6WDWXV#RSHUDWLRQV
数据轮询
(DQ7)
在自动化的芯片算法或扇区擦除超时才有效。 DQ7反映补
去年写的过程中自动上芯片算法( 0擦除算法期间)读取数据时;
反映真实数据完成后的自动上芯片算法完成( 1后读出时
删除agorithm ) 。
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在自动化的芯片算法或部门超时活跃。 DQ6切换时, CE或OE切换,
或擦除恢复命令被调用。当自动片算法完成时, DQ6
停止切换和有效的数据可被读出。 DQ6是在我们的第四个脉冲的上升沿有效
切换第1位( DQ6 )
在编程;之后,在芯片擦除第六WE脉冲的上升沿;最后一次上涨后
扇区擦除WE脉冲的扇区擦除的边缘。对于受保护的行业, DQ6在切换为<1微秒
写入和擦除期间<5微秒(如果所有选定行业的保护) 。
表示不成功完成方案/擦除操作( DQ5 = 1)。数据轮询遗体
活跃;行政长官的权力设备下降到2毫安。如果DQ5在芯片擦除= 1 ,所有或某些部门是
有缺陷的;在扇区擦除,扇区是有缺陷的(在这种情况下,复位装置和执行
编程或擦除命令序列继续与功能界别工作) ;在字节
编程,该特定字节是有缺陷的。试图编程0-1将设置DQ5 = 1 。
检查扇区擦除定时器窗口是否已打开。如果DQ3 = 1 ,擦除正在进行中;没有命令会
被接受。如果DQ3 = 0时,设备将接受额外的扇区擦除命令。之前检查DQ3
并且每个扇区擦除命令之后,以验证该命令被接受了。
超过时间
限制( DQ5 )
扇区擦除定时器
(DQ3)
在扇区擦除, DQ2与OE或CE仅在尝试读取扇区被擦除切换。
在芯片擦除, DQ2切换与OE或CE的所有地址。如果DQ5 = 1 , DQ2切换只在部门
触发位2 ( DQ2 )
涉及其中发生的故障,并不会切换为其它的扇区地址。使用DQ2结合
与DQ6 ,以确定设备是否处于自动擦除或擦除挂起模式。
: ULWH # RSHUDWLRQ # VWDWXV
状态
自动编程(字节)
编程/擦除的自动擦除
阅读擦除扇区
进行中
抹去
暂停
模式
读非擦除
扇形
程序擦除
暂停
DQ7
DQ7
0
1
数据
DQ7
DQ7
0
DQ7
DQ6
切换
切换
无切换
数据
切换
切换
切换
切换
DQ5
0
0
0
数据
0
1
1
1
DQ3
0
1
0
数据
0
0
1
0
DQ2
无切换
切换
*
切换
数据
切换
*
无切换
切换
无切换
自动编程(字节)
超过时间限制
编程/擦除的自动擦除
程序擦除挂起
*
与切换
与切换
OE
or
CE
仅擦除或擦除挂起扇区地址。
OE
or
CE
仅擦除或擦除挂起扇区地址。
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