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） XQFWLRQDO ＃ GHVFULSWLRQ
该AS29F010是一个高性能的1兆位5伏只有闪光组织为128K字节的每个字节8位存储器。它被分成四个
32K的部门每个字节。每个扇区被个别地擦掉和不影响在其它扇区的数据进行编程。所有PROG RAM，擦除，
和验证操作只有5伏，并且不需要外接12V电源引脚。在系统可编程所需的所有功能
提供的。
该AS29F010提供高性能的120或150 ns的最大访问时间。芯片使能（ CE ） ，输出使能（ OE ）和
写使能（ WE）引脚允许简单的接口与系统总线。
编程，擦除和验证操作控制使用JEDEC标准写入片内指令寄存器状态机
的方法来输入命令。每个命令需要执行的四个写入周期。地址和数据在所有内部锁存
写，擦除和验证操作，和一个内部定时器终止各个指令。该芯片具有200 μ s的典型定时器周期的所有
命令，但擦除，其具有800毫秒的典型周期。在正常情况下，一个扇区可完全编程和验证
在不到12秒。编程，擦除和验证部门通常需要不到18秒。
数据保护由低-V提供
CC
锁定和错误检查在写状态机。数据轮询和切换位模式
用来表明芯片正在执行一个命令时， AS29F010写操作期间被读出或擦除操作。擦除或P ogram后
命令，验证- 1 andVerify - 0命令模式确保有足够的裕度运行可靠。 （参见第5页上的命令摘要）
该AS29F010封装采用32引脚DIP ， PLCC和TSOP封装符合JEDEC标准引脚一兆位闪存。
$ UUD \\ ＃ DUFKLWHFWXUH ＃ DQG ＃ GDWD ＃ SRODULW \\
该阵列包括128K （ 131,072 ）个字节分为四个扇区的每个32K字节。地址A15和A16选择了四个部门：
扇形
0
1
2
3
地址范围
00000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1FFFFh
地址引脚
A0–A5
A6–A14
A15–A16
功能
CA ：列地址00-3Fh
RA ：行地址000-1FFh
SA ：扇区地址0-3h
该AS29F010出厂时设置为1。编程位的所有位擦除状态设置为0的数据编程到一个光一个字节
的时间。所有的编程位仍设置为0，直到该部门将被删除，并使用SectorErase和验证algorit HM验证。擦除回报
在一个32K扇区的擦除状态FFH的所有字节，或设置为1的每个扇区中的所有位被用在其他行业没有影响个别地擦除。
)/$6+
2SHUDWLQJ#PRGHV
该AS29F010由写状态机（ WSM）用于解释和执行指令的控制。在上电时的WSM复位为
正常的读模式。一旦一个命令是通过写数据到DQ管脚与WE销启动的，则WSM进入命令模式，并
保持在芯片上电，直到该命令结束。后的指令是由内部计时器终止时， WSM返回到
正常的读模式。
5
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
