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AS29F010-150LC 参数 Datasheet PDF下载

AS29F010-150LC图片预览
型号: AS29F010-150LC
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内容描述: 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 169 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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®
$65<)343
89#45;.ð;#&026#)ODVK#((3520
) HDWXUHV
•组织: 128K ×8位
•扇区擦除架构
- 四个32K × 8部门
•读/写操作单5.0 ± 0.5V电源
•高速120/150纳秒地址访问时间
•低功耗:
- 30毫安最大读取电流
- 80 mA(最大值)编程电流
- 1.5 mA(最大值)待机电流
- 1 mA(最大值)待机电流(低功率)
•万写/擦除周期耐力
• JEDEC标准的写周期命令
- 可以防止意外更改数据
•编程/擦除周期结束的信号:
- 数据查询
- DQ6切换
•低V
CC
写锁定3.2V以下
• JEDEC标准封装及引脚排列:
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
/ RJLF #䂑# GLDJUDP
DQ
0
-DQ
7
V
CC
V
SS
3LQ#DUUDQJHPHQW
32-pin
PDIP
擦除电压
开关
输入/输出
缓冲器
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE
NC *
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32-pin
PLCC
A12
A15
A16
NC
V
CC
WE
NC *
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
AS29F010
WE
状态
控制
命令
注册
编程电压
开关
数据
LATCH
AS29F010
CE
OE
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
地址锁存
低V
CC
探测器
A
0
~A
16
编程/擦除
脉冲定时器
y解码器
Y型GATING
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
DQ1
DQ2
V
SS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
14
15
16
17
18
19
20
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
X解码器
1,048,576位
细胞矩阵
AS29F010
6HOHFWLRQ#JXLGH
AS29F010-120
最大访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
t
AA
t
CE
t
OE
120
120
50
AS29F010-150
150
150
50
单位
ns
ns
ns
','#4407333:0$1#72:233
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4
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