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AS7C32098A-12TIN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C32098A-12TIN图片预览
型号: AS7C32098A-12TIN
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内容描述: 3.3 V 128K ×16的CMOS SRAM [3.3 V 128K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 10 页 / 199 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C32098A  
®
Read waveform 2 (CE, OE, UB, LB controlled)5,7,8  
tRC  
Address  
tAA  
OE  
tOHZ  
tOE  
tOH  
tOLZ  
CE  
tACE  
tCLZ  
tCHZ  
LB, UB  
tBA  
tBHZ  
tBLZ  
DataOUT  
Data valid  
Write cycle (over the operating range)9  
–10  
–12  
–15  
–20  
Parameter  
Write cycle time  
Symbol Min Max Min Max Min Max Min Max Unit Note  
t
t
t
10  
7
5
12  
8
15  
10  
10  
0
7
20  
12  
12  
0
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
CW  
AW  
Chip enable (CE) to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
7
8
t
0
0
AS  
t
t
7
8
10  
15  
0
12  
20  
0
Write pulse width (OE = High)  
Write pulse width (OE = Low)  
Write recovery time  
WP1  
WP2  
10  
0
12  
0
t
WR  
t
0
0
0
0
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
AH  
t
5
6
7
9
DW  
t
0
0
6
0
0
3,4  
3,4  
3,4  
3,4  
Data hold time  
DH  
WZ  
t
t
0
0
0
0
Write enable to output in High-Z  
Output active from write end  
Byte enable Low to write end  
3
3
3
3
OW  
t
7
8
10  
12  
BW  
2/24/05,v. 1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 10