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AS4LC256K16E0-45JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC256K16E0-45JC图片预览
型号: AS4LC256K16E0-45JC
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内容描述: 3.3V 256K ×16的CMOS DRAM( EDO ) [3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 526 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC256K16EO
®
EDO page mode cycle
Std
Symbol
t
PC
t
CAP
t
CP
t
PCM
t
CRW
t
RASP
-35
Parameter
Read
or
write cycle time (fast page)
Access time from CAS precharge
CAS precharge time (fast page)
EDO page mode RMW cycle
Page mode CAS pulse width (RMW)
RAS pulse width
Min
15
4
56
44
35
Max
19
75K
Min
17
5
58
46
45
-45
Max
21
75K
Min
25
6
60
50
60
-60
Max Unit
23
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
14
13
Refresh cycle
Std
Symbol
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPT
-35
Parameter
CAS setup time (CAS-before-RAS)
CAS hold time (CAS-before-RAS)
RAS precharge to CAS hold time
CAS precharge time
(CAS-before-RAS counter test)
Min
10
8
0
8
Max
Min
10
8
0
8
-45
Max
Min
10
10
0
8
-60
Max Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
3
3
Output enable
Std
Symbol
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
-35
Parameter
RAS hold time referenced to OE
OE access time
OE to data delay
Output buffer turnoff delay from OE
OE command hold time
Min
5
5
8
Max
10
8
Min
5
5
8
-45
Max
10
8
Min
5
8
8
-60
Max Unit
10
8
ns
ns
ns
ns
ns
8
Notes
Self refresh cycle
-35
Std Symbol Parameter
t
RASS
t
RPS
t
CHS
RAS pulse width
(CBR self refresh)
RAS precharge time
(CBR self refresh)
CAS hold time
(CBR self refresh)
Min
100K
85
30
Max
Min
100K
85
30
-45
Max
Min
100K
85
30
-60
Max
Unit
ns
ns
ns
Notes
4/11/01; V.1.1
Alliance Semiconductor
P. 7 of 25