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AS4C4M4F1-60TI 参数 Datasheet PDF下载

AS4C4M4F1-60TI图片预览
型号: AS4C4M4F1-60TI
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内容描述: 5V 4M × 4 CMOS DRAM(快页模式) [5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 271 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C4M4F0
AS4C4M4F1
®
Fast page mode cycle
-50
Symbol
t
CPA
t
RASP
t
PC
t
CP
t
PCM
t
CRW
Parameter
Access time from
CAS
precharge
RAS
pulse width
-60
Max
28
100K
Min
60
35
10
85
15
Max
35
100K
Unit
Notes
13
Min
50
30
10
80
12
Read-write cycle time
CAS
precharge time (fast page)
Fast page mode RMW cycle
Page mode
CAS
pulse width (RMW)
Output enable
-50
Symbol
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
OFF
Parameter
CAS to output in Low Z
RAS hold time referenced to OE
OE access time
OE to data delay
Output buffer turnoff delay from OE
OE command hold time
OE to output in Low Z
Output buffer turn-off time
Min
0
8
13
0
10
0
0
Max
13
13
13
Min
0
10
15
0
10
0
0
-60
Max
15
15
15
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8,10
8
Notes
8
Self refresh cycle
Std
Symbol
t
RASS
t
RPS
t
CHS
-50
Parameter
RAS pulse width
(CBR self refresh)
RAS precharge time
(CBR self refresh)
CAS
hold time
-60
Max
Min
100
105
10
Max
Unit
µs
ns
ns
Notes
Min
100
90
8
(CBR self refresh)
4/11/01; v.0.9
Alliance Semiconductor
P. 7 of 18