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AS4C4M4F0-50 参数 Datasheet PDF下载

AS4C4M4F0-50图片预览
型号: AS4C4M4F0-50
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内容描述: 5V 4M × 4 CMOS DRAM(快页模式) [5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 271 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C4M4F0  
AS4C4M4F1  
®
Fast page mode cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tCPA  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
Notes  
13  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
35  
tRASP  
tPC  
50  
30  
10  
80  
12  
100K  
60  
35  
10  
85  
15  
100K  
Read-write cycle time  
tCP  
CAS precharge time (fast page)  
Fast page mode RMW cycle  
Page mode CAS pulse width (RMW)  
tPCM  
tCRW  
Output enable  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Unit  
ns  
Notes  
8
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
8
10  
ns  
13  
15  
ns  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
15  
ns  
8
tOEH  
tOLZ  
10  
0
10  
0
ns  
ns  
tOFF  
0
13  
0
15  
ns  
8,10  
Self refresh cycle  
-50  
-60  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
100  
Max  
Min  
100  
Max  
Unit  
µs  
Notes  
RAS pulse width  
(CBR self refresh)  
tRASS  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
tRPS  
90  
8
105  
10  
ns  
ns  
CAS hold time  
(CBR self refresh)  
tCHS  
4/11/01; v.0.9  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 18