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AS4C1M16E5-45JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-45JC图片预览

型号：	AS4C1M16E5-45JC
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内容描述：	5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ） [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	22 页 / 601 K
品牌：	ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

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AS4C1M16E5

®

Hyper page mode byte read-modify-write waveform

t_RASP

t_RP

RAS

UCAS

LCAS

t_CSH

t_RCD

t_RSH

t_CAS

t_CRP

t_CRP

t_CAS

t_CP

t_CP

t_CAS

t_RAL

t_CAH

t_AWD

t_ASC

t_RAD

t_RAH

t_ASR

t_CAH

t_CAH

t_AWD

t_ASC

C 1

t_ASC

C n

Address

R

C 2

t_CPWD

t_AWD

t_CWD

t_RWL

t_AWD

t_CWD

t_RWD

t_CPWD

t_CWD

t_AWD

t_CAH

t_CWL

t_CWL

t_CWL

t_WP

t_WP

t_WP

WE

OE

t_OEA

t_OEA

t_OEA

t_DH

t_OED

t_DH

t_OED

t_DS

t_DS

Upper input

Data in 1

t_OEZ

t_CPA

Data in n

t_RAC

t_AA

t_CAC

t_OEZ

t_AA

t_CAC

t_CLZ

t_CLZ

Upper output

Lower input

Data out n

Data out 1

t_DH

t_OED

t_DS

Data in 2

t_CPA

t_OEZ

t_AA

t_CAC

t_CLZ

Lower output

Data out 2

4/11/01; v.1.0

Alliance Semiconductor

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