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AS4C1M16E5-45JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-45JC图片预览
型号: AS4C1M16E5-45JC
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5  
®
Hyper page mode read-modify-write waveform  
tRASP  
tRP  
RAS  
tHPRWC  
tCAS  
tCSH  
tRCD  
tCP  
tCRP  
UCAS,  
LCAS  
tRAD  
tRAL  
tCAH  
tASR  
tRAH  
tASC  
tASC  
tASC  
tCAH  
tCAH  
Row ad  
Col ad  
tRWD  
Col ad  
Col address  
tCPWD  
Address  
tCWL  
tRWL  
tCWL  
tWP  
tRCS  
tCWD  
tCWD  
tCWD  
tAWD  
tAWD  
WE  
OE  
tOEA  
tOEZ  
tOED  
tOEA  
tAA  
tRAC  
tCLZ  
tCAC  
tDH  
tCPA  
tCLZ  
tCAC  
tDS  
tDS  
tCLZ  
tCAC  
Data in  
Data in  
Data out  
Data in  
DQ  
Data out  
Data out  
CAS before RAS refresh waveform  
WE = VIH  
tRC  
tRP  
tRAS  
RAS  
tRPC  
tCHR  
tCP  
tCSR  
UCAS,  
LCAS  
OPEN  
DQ  
RAS only refresh waveform  
WE = OE = VIH or VIL  
tRC  
tRAS  
tRP  
RAS  
tCRP  
tRPC  
UCAS,  
LCAS  
tASR  
tRAH  
Address  
Row address  
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 17 of 22  
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