EPAD®性能特点
精密匹配的一对MOSFET系列（续）
操作的亚阈值区
栅极阈值（导通）电压V
GS （ TH）
在EPAD MOSFET的
是一个电压迅速使MOSFET的导通沟道下方
关闭。对于模拟设计，这种栅极阈值电压直接
影响到操作信号的电压范围和所述操作偏压
目前的水平。
在低于V的电压
GS （ TH）
，一EPAD MOSFET具有关断
在经营地域特点被称为亚阈值区。
这是当EPAD MOSFET的导通通道迅速变为
断为减小施加的栅极电压的函数。该传导
化信道，引起的栅极电压的栅极电极上，
呈指数下降，并且使漏电流减小
指数为好。但是，传导通道不
切断突然以减小栅极电压，而是减小
约104mV ％的漏极电流减小十年固定利率。
例如，对于ALD2108xx装置中，如果栅极的阈值电压
年龄为+ 0.20V ，漏极电流是10μA在V
GS
= + 0.20V 。在V
GS
=
+ 0.096V ，漏极电流将减小到1μA。推断
从此，漏极电流为约0.1μA在V
GS
= 0.00V ，在为1nA
V
GS
= -0.216V ，等等。此阈下的特性EX-
往往一路下跌至低于1nA的电流水平，并通过限制
结漏电流。
在“零电流”下的漏极电流的定义和由所选择的
用户中，V
GS
电压在这个零电流现在可以进行估计。
注意，当使用上述例子中，V字形
GS （ TH）
= + 0.20V ，漏极
目前仍然徘徊在100nA的当门处于地电压
年龄。使用具有伏的设备
GS （ TH）
= + 0.40V （部件编号
ALD210804 ） ，漏极电流是大约仅为2nA当栅极处于
接地电位。因此，在这种情况下，参考输入信号
地面可仅为仅为2nA内部自然漏极电流操作
偏置电流，散热纳米瓦的功率。
低功耗和纳安级
当电源电压降低，对一个功率消耗给定的
负载电阻会随着电源电压的平方成正比。因此，
在降低电源电压的好处之一是降低功率
消费。同时降低电源电压和功率
消费去手牵手与减少有用的交流带宽
在电路和增加的噪声的影响，电路设计者可以
使在任何给定电路中的必要的权衡和调整
设计和偏压电路相应地获得最佳性能。
与EPAD的MOSFET ，电路执行的任何特定功能
可以设计成使得电路的功率消耗是微型
而得到优化。这些电路在低功耗模式下工作，其中所述功率
消耗的措施以mW ，
µW,
和NW （纳米瓦）地区
仍然提供了有用的和被控制电路的功能操作。
零温度系数（ ZTC ）操作
对于该产品系列的EPAD MOSFET ，工作点存在
其中，该使电流增加作为各种因素
功能的温度达到平衡，那些导致电流
减少，从而相互抵消，并导致净温
接近于零的漂移系数。该温度下的一例
由ZTC电压偏压条件下得到稳定的工作点，
这是0.38V高于V
GS （ TH）
当V
DS （ ON）
= + 0.1V ，从而导致
约380μA的温度下稳定的电流电平的ALD2108xx
和760μA的ALD2129xx设备。
性能特点
该EPAD MOSFET产品系列的性能特点
示于以下的图表。在一般情况下，栅极的阈值
电压变化对产品每个家庭成员导致其他
受影响的电特性，以在V线性移
GS （ TH）
BIAS
电压。这在V线性移位
GS
导致亚阈值I- V曲线
移位直线为好。因此，该阈值下电流
租金可以通过计算栅极源极电压降来确定
相对于它的栅极阈值电压V
GS （ TH）
.
常在固定的RDS （ ON）在VGS =接地
这EPAD MOSFET家族的几个成员产生固定
电阻时，它们的栅极接地。对于ALD210800 ，漏极
目前在V
DS
= 0.1V为10μA @在V
GS
= 0.00V 。因此，仅仅通过
接地ALD210800的栅极，其中R的电阻器
DS （ ON）
=
〜 10 KΩ产生。 （对于ALD212900设备，R
DS （ ON）
= ~5 KΩ)
当一个ALD214804栅极接地，漏极电流I
DS
=
424μA @ V
DS
= 0.1V ，制备R
DS （ ON）
= ~236
Ω.
同样，
ALD214813和ALD214835产生1.71毫安和3.33毫安的
在V分别为每个MOSFET
GS
= 0.0V ，制备R
DS （ ON）
59Ω和30Ω ，分别的值。例如，当所有4个
在一个ALD214835 MOSFET的并联连接，一个上重新
对30/4 = 〜 7.5Ω电阻是否漏极和源极之间测量
终端当V
GS
= V - = 0.00V ，产生一个固定的导通电阻
没有任何栅极偏置电压施加到器件上。
匹配特性
对使用匹配，对EPAD的关键性能优势
MOSFET的是保持存在差之间的温度跟踪
耳鼻喉科设备在同一个包。在一般情况下，对于EPAD MOSFET的
对相匹配的设备中，对匹配的一台设备具有栅极
漏电流，结温的影响，漏电流
温度系数偏置电压的取消功能
其它设备的出类似的效果，从而产生温度
稳定的电路。如前面提到的，这个温度稳定性可以
由偏置匹配，对在零温度系数进一步提高
（ ZTC ）点，尽管这可能需要特殊的电路组态
口粮和功耗设计方面的考虑。
电源序列和ESD控制
EPAD MOSFET是坚固可靠的，具体表现为更
十几年的生产历史提供给大型安装
碱的客户在世界各地。然而，这些装置做
需要一些设计和操作注意事项，以便他们
可以成功地使用。
EPAD的MOSFET ，作为一个CMOS集成电路中，除了
具有漏极，栅极和源极引脚通常在MOSFET发现
装置中，具有其它三种类型的标签，即V + ，V-和IC引脚。
V +被连接到基板上，必须始终连接
最正电源中的电路。 V-是MOSFET的本体，
必须连接到在最负的电源电压
的电路。 IC引脚内部连接引脚，还必须
被连接到V- 。漏，栅极和源极引脚必须有电压
V-和V +之间的年龄在所有时间。
正确的上电顺序要求的电源电压上电
前申请的任何信号。在断电循环，去除
之前的所有信号取出V-和V + 。这样，内部回
偏置二极管决不允许变为正向偏置， possi-
布莱导致设备损坏。
标准的ESD控制程序应使静态观察
电荷不会降低器件的性能。
ALD212900/ALD212900A
先进的线性器件
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
