绝对最大额定值
漏源电压VDS
10.6V
栅源电压， VGS
10.6V
工作电流
80毫安
功耗
500毫瓦
工作温度范围SAL ， PAL
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度10秒
+260°C
小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
V + = + 5V V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
ALD212900A
参数
栅极阈值电压
失调电压
失调电压温度系数
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS （ TH）
VOS
TCVOS
TCVGS （日）
民
-0.01
典型值
0.00
1
5
-1.7
0.0
+0.6
79
85
正向跨导
政府飞行服务队
∆G
FS
GOS
RDS （ ON）
38
最大
0.01
2
民
-0.02
ALD212900
典型值
0.00
2
5
-1.7
0.0
+1.6
79
85
38
最大
0.02
10
单位
V
mV
μV/°C
毫伏/°C的
测试条件
IDS = 20μA ， VDS = 0.1V
VGS(th)1-VGS(th)2
VDS1 = VDS2
ID = 20μA ， VDS = 0.1 V
ID = 760微安， VDS = 0.1V
ID = 1.5毫安， VGS = 0.1 V
VGS = + 3.0V ， VDS = + 3V
VGS = 0.1V + ， VDS = + 0.1V
VGS = 3.0V +
VDS = + 3.0V
在漏极电流
IDS （ ON）
mA
µA
mmho
跨不匹配
输出电导
1.8
2.3
1.8
2.3
%
mmho
VGS = 3.0V +
VDS = + 3.0V
VGS = 5.0V +
VDS = + 0.1V
VGS = 0.0V + ， VDS = + 0.1V
VGS = 0.1V + ， VDS = + 0.1V
VDS = + 0.1V
VGS = 5.0V +
漏源导通电阻
14
14
Ω
漏源导通电阻
RDS （ ON）
5
1.18
1.8
5
1.18
1.8
KΩ
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
∆R
DS （ ON）
%
∆R
DS （ ON）
BVDSX
IDS （ OFF ）
10
0.6
0.6
%
V- = VGS = -1.0V
IDS = 10μA
VGS = -1.0V ， VDS = + 5V
V- = -5V
TA = 125°C
VGS = + 5V ， VDS = 0V
TA = 125℃
10
V
10
400
4
10
400
4
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
IGSS
西塞
CRSS
吨
花花公子
5
200
1
5
200
1
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项：
1
30
2
10
10
60
30
2
10
10
60
V + = 5V ， RL = 5KΩ
V + = 5V ， RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD212900/ALD212900A
先进的线性器件
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
