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ALD110804 参数 Datasheet PDF下载

ALD110804图片预览
型号: ALD110804
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内容描述: QUAD /双N沟道增强型EPAD匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
 浏览型号ALD110804的Datasheet PDF文件第1页  
绝对最大额定值
漏源电压,
V
DS
栅源电压,
V
GS
功耗
工作温度范围PA , SA ,PC , SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V (或打开) V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项:
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110804 / ALD110904
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
偏移VoltageTempco
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS ( TH)
VOS
TC
VOS
TCΔVGS (日)
0.38
典型值
0.40
2
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
最大
0.42
10
单位
V
mV
μV/°C
毫伏/
°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA , VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 9.7V
VGS = 4.2V +
VDS = + 5V
VGS = 4.2V +
VDS = + 9.2V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
在漏极电流
IDS ( ON)
mA
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
∆G
FS
GOS
RDS ( ON)
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.2V +
VDS = + 9.2V
VDS = 0.1V
VGS = 4.2V +
漏源导通电阻
500
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
∆R
DS ( ON)
BVDSX
IDS ( OFF )
IGSS
西塞
CRSS
花花公子
0.5
%
10
V
IDS = 1.0μA
VGS = -0.8V
VGS = -0.8V
VDS = 10V , TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项:
1
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V, RL = 5KΩ
V + = 5V, RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110804/ALD110904
先进的线性器件
2