A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110804/ALD110904
V
GS （ TH）
= +0.4V
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD®
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110804 / ALD110904是单片四核/双N沟道MOSFET
匹配在使用ALD的成熟EPAD® CMOS技术的工厂。
这些器件适用于低电压，小信号的应用程序。
该ALD110804 / ALD110904的MOSFET的设计和建造为前
ceptional设备的电气特性匹配。由于这些设备
在同一块芯片上时，它们也显示出优异的温度系数跟踪
的特点。它们是通用的电路元件作为设计的COM有用
ponents为各种模拟应用，例如基本的建筑
为电流源，差分放大器的输入级，在传输块
锡安门和多路复用器应用。对于大多数的应用中，连接
V型和N / C管脚到最负的电压电势在该系统和
V +引脚以最积极的电势（或悬空未使用） 。所有
其它的管脚必须在这些电压限制电压。
该ALD110804 / ALD110904设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们适合用于开关和
放大的< + 0.1V的应用程序+ 10V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快期望，如
这些器件具有很好的控制关断和亚阈值字符
开创性意义，并且可以被偏置，并在亚阈值区工作。
由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎infi-
黑夜）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110804 / ALD110904都适合使用在非常低的工作
电压或功率非常低（纳瓦） ，高精度应用而重新
叠纸很高的电流增益，β，例如电流镜，电流
源。高输入阻抗和的高直流电流增益
场效应晶体管从通过极低的电流损耗导致
控制栅极。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，
该装置的3毫安的漏极电流和输入漏电流DC测试
30PA在25℃下的是= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
•增强模式（常关）
为+ 0.40V •精确的栅极阈值电压
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛（V
OS
），以10mV的
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110804PC
16-Pin
SOIC
包
ALD110804SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD110904PA
8Pin
SOIC
包
ALD110904SA
应用
•超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
•超低工作电压（ <0.4V ）电路
•亚阈值和偏置电路的操作
•精密电流镜和电流源
•纳安的电流源
•高阻抗电阻模拟器
•电容探头和传感器接口
•差分放大器的输入级
•离散电压比较器和电平转换器
•电压偏置电路
•采样和保持电路
•模拟和数字转换器
•充电检测器和集成商负责
•源极跟随器和高阻抗缓冲器
•电流倍增器
•离散模拟开关/多路复用器
引脚配置
ALD110804
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
PC ， SC套餐
V
-
V
-
16
15
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
M1
M2
14
V
+
13
12
V
-
M4
M3
11
10
V
-
9
ALD110904
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
