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    ALD1115 参数 Datasheet PDF下载

    ALD1115图片预览
    型号： ALD1115
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补N沟道和P沟道MOSFET [COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 66 K
    品牌： ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
     浏览型号ALD1115的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ALD1115的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ALD1115的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD1115的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD1115的Datasheet PDF文件第6页  
    N沟道典型性能特性
    输出特性
    1000
    漏源电流
    （MA ）
    低电压输出
    特征
    漏源电流
    (µA)
    20
    V
    BS
    = 0V
    T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    = 12V
    10V
    8V
    V
    BS
    = 0V
    T
    A
    = 25°C
    500
    V
    GS
    = 12V
    6V
    4V
    2V
    15
    0
    10
    6V
    4V
    2V
    -500
    5
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    -1000
    -160
    -80
    0
    80
    160
    漏源极电压（ V）
    漏源电压（MV ）
    正向跨导
    与漏源电压
    20
    传输特性
    与底物BIAS
    20
    正向跨导
    （ mmho ）
    10
    5
    I
    DS
    = 10毫安
    T
    A
    = +25°C
    漏源电流
    (µA)
    V
    BS
    = 0V
    F = 1kHz时
    V
    GS
    = V
    DS
    T
    A
    = 25°C
    15
    V
    BS
    = 0V
    10
    -2V
    -4V
    -6V
    -8V
    -10V
    5
    -12V
    T
    A
    = +125°C
    2
    1
    0.5
    0.2
    0
    2
    4
    I
    DS
    = 1毫安
    6
    8
    10
    12
    0
    0
    0.8
    1.6
    2.4
    3.2
    4.0
    漏源极电压（ V）
    门源极电压（ V）
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    与门源电压
    漏源导通电阻
    (KΩ)
    100
    断漏电流与
    环境温度
    OFF漏源电流
    （ PA ）
    1000
    V
    DS
    = +12V
    V
    GS
    = V
    BS
    = 0V
    100
    V
    DS
    = 0.2V
    V
    BS
    = 0V
    10
    T
    A
    = +125°C
    1
    10
    0.1
    0
    T
    A
    = +25°C
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    1
    -50
    -25
    0
    +25
    +50
    +75
    +100 +125
    门源极电压（ V）
    环境温度（ ℃）
    ALD1115
    先进的线性器件
    4

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