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ALD1115 参数 Datasheet PDF下载

ALD1115图片预览
型号: ALD1115
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内容描述: 互补N沟道和P沟道MOSFET [COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 66 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度10秒
13.2V
13.2V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
PA , SA封装
DA包
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
N - 通道
符号最小值
TYP MAX
0.4
0.7
1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= 1μA V
GS
= V
DS
P - 通道
TYP MAX
-0.4
-0.7
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1μA V
GS
= V
DS
栅极阈值V
T
电压
栅极阈值
温度
TC
VT
漂移
在漏
当前
传输。
产量
I
DS ( ON)
G
fs
G
OS
-1.2
毫伏/°C的
-1.3
毫伏/°C的
3
4.8
mA
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
I
DS
= 1μA V
GS
=0V
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
I
DS
= -1μA V
GS
=0V
1
1.8
mmho
μmho
0.25
0.67
mmho
μmho
200
40
漏源
R
DS ( ON)
抗性
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
栅极泄漏
当前
输入
电容
BV
DSS
12
350
500
1200
1800
V
-12
V
I
DS (关闭)
I
GSS
C
国际空间站
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
= 12V我
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=-12V
T
A
= 125°C
0.1
1
1
1
ALD1115
先进的线性器件
2