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ALD110908A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ALD110908A
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内容描述: QUAD /双N沟道增强型EPAD匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
 浏览型号ALD110908A的Datasheet PDF文件第1页  
绝对最大额定值
漏源电压,
V
DS
栅源电压,
V
GS
功耗
工作温度范围PA , SA ,PC , SC包
存储温度范围
焊接温度10秒
10.6V
10.6V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
V + = + 5V (或打开) V- = GND TA = 25
°
C除非另有说明
注意事项:
ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
ALD110808A / ALD110908A
参数
栅极阈值电压
符号
VGS ( TH)
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
ALD110808 / ALD110908
0.78
典型值
0.80
最大
0.82
单位
V
测试条件
IDS = 1μA
VDS = 0.1V
IDS=1µA
失调电压
VGS1-VGS2
VGS1 , VGS2温度系数
VOS
1
2
3
10
mV
∆V
OS
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
μV/°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA
ID = 20μA VDS = 0.1V
ID = 40μA
VGS = + 10.3V
VGS = 4.8V +
VDS = + 5V
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
GateThreshold温度系数
∆V
GS ( TH)
IDS ( ON)
毫伏/
°C
mA
在漏极电流
正向跨导
政府飞行服务队
1.4
1.4
mmho
跨不匹配
输出电导
∆G
FS
GOS
1.8
68
1.8
68
%
μmho
VGS = 4.8V +
VDS = + 9.8V
VDS = 0.1V
VGS = 4.8V +
漏源导通电阻
RDS ( ON)
500
500
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
∆R
DS ( ON)
0.5
0.5
%
BVDSX
10
10
V
IDS = 1.0μA
VGS = -0.2V
VGS = -0.2V
VDS = 10V , TA = 125°C
VDS = 0V VGS = 10V
TA = 125℃
IDS ( OFF )
IGSS
10
100
4
30
1
10
100
4
30
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流当前1
3
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项:
1
西塞
CRSS
花花公子
2.5
0.1
10
10
60
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V, RL = 5KΩ
V + = 5V, RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
先进的线性器件
2