A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
V
GS （ TH）
= +0.8V
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD®
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110808A / ALD110808 / ALD110908A / ALD110908是单片四核/
双N沟道MOSFET ，在使用ALD的工厂配套成熟的
EPAD® CMOS技术。这些器件适用于低电压，
小信号的应用。
这些MOSFET器件都建立在同一块芯片上，所以他们
具有优异的温度跟踪特性。他们是多才多艺
作为电路元件，并且有用的设计成分为广泛的
模拟应用。它们可用于电流源的基本构建块，
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。对于大多数的应用中，连接V型和N / C管脚到最
负的电压电势在该系统和V +引脚到最正
电势（或悬空未使用） 。所有其他引脚必须有电压
在这些电压限制。
ALD110808 / ALD110908设备是专为最低的失调电压和
差热响应，并且它们适合用于切换和扩增
fying应用在+ 1.0V至+ 10V （ ±5 V）系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。如
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流
租增益在低频或DC附近，操作环境。
这些设备适合于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管是由于通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC的测试
设备在30PA的3毫安和输入漏电流的漏电流
25℃ = 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
•增强模式（常关）
•标准门阈值电压： + 0.8V
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
•低输入电容
• V
GS （ TH）
匹配到2mV的和为10mV
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110808APC
ALD110808 PC
16-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
8Pin
SOIC
包
应用
•精密电流镜
•精密电流源
•电压菜刀
•差分放大器的输入级
•电压比较器
•电压偏置电路
•采样和保持
•模拟逆变器
•电平转换器
•源极跟随器和缓冲器
•电流倍增器
•模拟开关/多路复用器
引脚配置
ALD110808
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110908
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
ALD110808ASC ALD110908APA ALD110908ASA
ALD110808SC ALD110908PA ALD110908SA
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
启1.0-0506 © 2 005先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
