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    ALD1103PBL 参数 Datasheet PDF下载

    ALD1103PBL图片预览
    型号： ALD1103PBL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR [DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 101 K
    品牌： ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
     浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ALD1103PBL的Datasheet PDF文件第9页  
    绝对最大额定值
    漏极 - 源极电压V
    DS
    栅源电压，V
    GS
    功耗
    工作温度范围
    10.6V
    10.6V
    500mW
    0 ° C至+ 70°C
    -55 ° C至+ 125°C
    -65 ° C至+ 150°C
    +260°C
    SBL ， PBL包
    DB包装
    存储温度范围
    焊接温度10秒
    小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
    运行电气特性
    T
    A
    = 25
    °
    C除非另有说明
    参数
    N - 通道
    符号最小值
    TYP MAX
    0.4
    0.7
    1.0
    单位
    V
    TEST
    条件
    I
    DS
    = 10μA V
    GS
    = V
    DS
    I
    DS
    = 100μA V
    GS
    = V
    DS
    P - 通道
    民
    TYP MAX
    -0.4
    -0.7
    -1.2
    单位
    V
    TEST
    条件
    I
    DS
    = -10μA V
    GS
    = V
    DS
    I
    DS
    = -100μA V
    GS
    = V
    DS
    栅极阈值V
    T
    电压
    失调电压
    V
    GS1
    - V
    GS2
    V
    OS
    10
    mV
    10
    mV
    栅极阈值
    温度
    TC
    VT
    漂移
    在漏
    当前
    传输。
    导
    不匹配
    产量
    导
    漏源
    抗性
    I
    DS （ ON）
    G
    fs
    ∆G
    fs
    G
    OS
    R
    DS （ ON）
    25
    -1.2
    毫伏/°C的
    -1.3
    毫伏/°C的
    40
    mA
    V
    GS
    = V
    DS
    = 5V
    V
    DS
    = 5V I
    DS
    = 10毫安
    -8
    -16
    mA
    V
    GS
    = V
    DS
    = -5V
    V
    DS
    = -5V我
    DS
    = -10mA
    5
    10
    mmho
    2
    4
    mmho
    0.5
    200
    %
    μmho
    Ω
    V
    DS
    = 5V I
    DS
    = 10毫安
    V
    DS
    = 0.1V V
    GS
    = 5V
    0.5
    500
    %
    μmho
    Ω
    V
    DS
    = -5V我
    DS
    = -10mA
    V
    DS
    = -0.1V V
    GS
    = -5V
    50
    75
    180
    270
    漏源
    抗性
    ∆R
    DS （ ON）
    不匹配
    漏源
    击穿
    电压
    关闭漏
    当前
    栅极泄漏
    当前
    输入
    电容
    0.5
    %
    V
    DS
    = 0.1V V
    GS
    = 5V
    0.5
    %
    V
    DS
    = -0.1V V
    GS
    = -5V
    BV
    DSS
    I
    DS （关闭）
    I
    GSS
    C
    国际空间站
    12
    V
    I
    DS
    = 10μA V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = 12V我
    GS
    = 0V
    T
    A
    = 125°C
    V
    DS
    = 0V V
    GS
    =12V
    T
    A
    = 125°C
    -12
    V
    I
    DS
    = -10μA V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = -12V V
    GS
    = 0V
    T
    A
    = 125°C
    V
    DS
    = 0V V
    GS
    =-12V
    T
    A
    = 125°C
    0.1
    4
    4
    50
    10
    10
    nA
    µA
    pA
    nA
    pF
    0.1
    4
    4
    50
    10
    10
    nA
    µA
    pA
    nA
    pF
    1
    1
    6
    6
    ALD1103
    先进的线性器件
    2 9

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