A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1103
双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR
概述
该ALD1103是匹配的单片双N沟道和双P沟道
晶体管对用于范围广泛的模拟应用。这些
增强型晶体管与先进的生产线
设备的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺。它由一个
ALD1101 N沟道MOSFET对和ALD1102 P沟道MOSFET
一对在一个封装中。
该ALD1103提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 2V至+ 12V系统中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在对所使用的，双CMOS模拟开关可以构造。在
此外， ALD1103的目的是作为构造块差
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
该ALD1103适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在50Pa的规定，在室温下进行。例如，DC装置的测试
为5mA的在25℃下的漏电流为= 5毫安/ 50PA = 100,000,000 。
特点
• N沟道和P沟道对之间的热追踪
• 0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
•低输入电容
•低沃斯 - 10mV的
•高输入阻抗 - 10
13
Ω
典型
•低输入和输出泄漏电流
•负电流（I
DS
）温度系数
•增强模式（常关）
•直流电流增益10
9
•在一个封装匹配N沟道和匹配的P-沟道
•符合RoHS
应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
SBL ， PBL ， DB套餐
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
ñ漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
Ñ漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD1103SBL
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1103PBL
-55 ° C至+ 125°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1103DB
P漏极1（5）
P GATE 1（6）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
P GATE 2 （ 9 ）
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
