22
20
18
NF ，增益， P
1分贝
（ dB）的
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
NF
收益
动力
使用串联二极管的
方法具有的优点
在电流不依赖
变化，因为放大器
的正向压降
二极管是有点电流
独立的。
反向击穿二极管（例如
齐纳二极管），也可以使用
如在图20c中。然而，关心
应注意，以确保
由二极管产生的噪声
无论是齐纳二极管或反向突破性
下得到充分过滤（例如，
旁路到接地） ，使得
二极管的噪声不被添加到
放大器的信号。
注意，电压跌落
在这三个分量
方法必须能够安全地
耗散高达200毫瓦。
10
6
小时（114年）的信
为150 ℃。 NEL温度
最大器件电流specifi-
阳离子为101毫安3伏。从
图8中，可以看出，该
电流将通过近似增加
三方共同9毫安到110毫安的
升高的温度。该装置
功耗是那么：
P
d
= 3.0伏特
*
110毫安，
它等于330毫瓦。该
通道用于─ “案”的热电阻
tance （ θ
CH-C
）从“绝对
最大额定值“表
180℃/瓦特。需要注意的是“案例”是
定义之间的界面
采用SOT -363封装引脚和
安装表面（即， PCB）上。
从升温
安装面到MMIC
渠道是：
∆T
= 0.330瓦特
*
180℃/瓦特，
或59 ° C。为了达到MTTF
10个目标
6
小时，该电路
该装置被安装
应不超过：
T
例
= 150° - 59° C,
它等于91 ℃。
对于其他的MTTF的目标和/或
操作温度，的Hewlett-
惠普公布数据的可靠性
根据工作寿命片
测试，以使设计人员能够到达
在对散热设计的
特定的操作环境。
对于可靠性的数据表覆盖率
荷兰国际集团的MGA- 82563 ，请求
惠普出版物
号5964-4128E ，标题为“砷化镓
MMIC放大器可靠性数据“ 。
（此可靠性数据表盖
的MGA- 82563作为这项工作的一部分
家庭的GaAs MMIC产品的。 ）
电源电压（ V）
Figure19 。增益，噪声系数，以及
OutputPowervs.SupplyVoltage 。
有偏压的若干装置
的MGA- 82563在3伏
使用更高的电源系统
电源电压。最简单的
方法中，如图20a的示出，是对
使用一个串联电阻砸
器件电压为3伏。为
例如，一个24
Ω
电阻将下降
一个5伏电源至3伏的
的84毫安额定电流。一些
变化的表现可能是
预期这种方法由于
内部的变化，目前的
指定63至101 mA最小/最大
范围内。
+5 V
+5 V
+5 V
热设计
注意事项
良好的散热设计是很重要的
在介质中的应用
功率器件，特别是当
住在微型封装
如SOT- 363 / SC- 70 。
如先前所提到的
“RF布局”部分，使用
附近所有的多个过孔
接地引脚提供了重要的
的散热功能的一部分。
可靠运行，通道
温度应保持在
在165 ℃下显示在“ Abso-
琵琶最大额定值“表。
作为热的图
计算时，考虑的例子
一MGA- 82563的偏置在3.0伏
用于与平均无故障时间的应用程序
10个目标
6
小时（114年） 。
工作寿命测试都estab-
lished一个MTTF超过
24
Ω
硅
二极管
齐纳
二极管
(a)
(b)
(c)
Figure20 。 BiasingFromHigher
SupplyVoltages 。
第二种方法说明
图20b ，是用前向
偏置二极管串联在
电源。例如，三
串联硅二极管连接
将下降5伏电源，以
约3伏。
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