5
交换特定网络阳离子
在推荐的温度(T
A
= 0℃至70℃ ),V
CC
= 5V ,除非另有规定。
参数
传播
延迟时间
以逻辑
在低
产量
对称设备
BOL HCPL-敏。
t
PHL
M701
(典型值) *最大。单位
25
75
100
0.5
2
3
M700
5
20
25
传播
延迟时间
以逻辑
在高
产量
t
PLH
M701
10
60
90
1
10
15
M700
10
35
50
常见
|厘米
H
|
模式
短暂
在免疫力
逻辑高
产量
常见
|厘米
L
|
模式
短暂
在免疫力
逻辑低
产量
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
注意事项:
在百分之1的直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O
到前方的LED输入
目前,我
F
,乘以100 。
2.设备认为是一个双端器件:引脚1和3短接在一起,并且引脚4,5和6短接在一起。
3.根据UL 1577 ,每个光耦是证明通过应用绝缘测试电压测试
≥
4500 V
RMS
1秒
(泄漏检测电流限制,我
我-O
≤
5
µA).
在逻辑高电平4.常见的瞬态抗扰度是最大容许(正)DV
CM
/ dt值的上升沿
共模脉冲,V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
> 2.0 V) 。共模瞬变
免疫在一个逻辑低电平的最大可容忍(负)的dV
CM
/ dt的对共模脉冲的下降沿
信号V
CM
,以保证该输出将保持在逻辑低状态(也就是,V
O
< 0.8V) 。
5.在应用中的dV / dt可能超过50000 V / μs的(如静电放电)的串联电阻,R
CC
时,应包括以
保护器IC的破坏性大的浪涌电流。建议值为为R
CC
= 220
Ω.
6.使用0.1
µF
旁路电容器,连接引脚4和6之间,推荐。
测试条件
T
A
= 25°C
I
F
= 0.5毫安,
R
L
= 4.7 kΩ
I
F
= 12毫安,
R
L
= 270
Ω
I
F
= 1.6毫安,
R
L
= 2.2 kΩ
I
F
= 0.5毫安,
R
L
= 4.7 kΩ
I
F
= 12毫安,
R
L
= 270
Ω
I
F
= 1.6毫安,
R
L
= 2.2 kΩ
图。记
5, 6,
7
µs
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
5, 6,
7
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
1,000
10,000
V / μs的我
F
= 0毫安
R
L
= 2.2 kΩ
|V
CM
| = 10 V
p-p
8
4, 5
1,000
10,000
V / μs的我
F
= 1.6毫安
R
L
= 2.2 kΩ
|V
CM
| = 10 V
p-p
8
4, 5