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ATF-58143-TR1G 参数 Datasheet PDF下载

ATF-58143-TR1G图片预览
型号: ATF-58143-TR1G
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内容描述: 低噪声增强模式伪HEMT的表面贴装塑料封装 [Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 10 页 / 150 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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ATF- 58143典型性能曲线,
持续
24
22
20
18
16
14
12
3V
4V
23
22
21
1.5
P1dB的( DBM)
P1dB的( DBM)
19
18
17
16
15
3V
4V
FMIN ( dB)的
0.5
25°C
-40°C
85°C
20
1.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
4
5
6
IDQ (毫安)
频率(GHz )
0
10
20
30
40
50
60
70
IDQ (毫安)
图13. P1dB为与IDQ和VDS的调谐
[1]
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
30
图14的P1dB与IDQ和VDS的调谐
[1]
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
35
图15. FMIN与频率和温度。
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。
20.0
19.5
25
30
19.0
P1dB的( DBM)
25°C
-40°C
85°C
OPI3 ( dBm的)
增益(dB )
20
25
18.5
18.0
17.5
17.0
16.5
16.0
25°C
-40°C
85°C
15
20
10
25°C
-40°C
85°C
15
5
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
10
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
图16.增益与频率和温度。
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。
图17. OIP3与频率和温度。
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。
图18的P1dB与频率和温度。
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。
注意:
1.当绘制的P1dB ,漏极电流为
允许变化依赖于RF输入功率。
5