ATF- 58143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX中。
I
GS
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[3]
RF输入功率
门源电流
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
mA
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 〜1
-5 〜1
100
500
+13
5]
2
[5]
150
-65到150
162
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
6.2毫瓦/°C，对于T
L
> 33 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息，应用部分。
120
100
80
I
DS
（MA ）
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
(V)
图1：典型的I -V曲线（V
GS
每步= 0.1V ）
产品的一致性分布图表
[6, 7]
-150
Cpk=2.735
Stdev=0.049
-125
-100
-75
-50
-25
0
0.3
0.4
0.5
0.6
NF（ dB）的
0.7
0.8
15
16
增益（dB ）
17
18
Cpk=1.953
Stdev=0.2610
Cpk=1.036
Stdev=0.509
28
29
30
31
32
33
34
OIP3 （ dBm的）
图2. NF @ 3V 30毫安。
USL = 0.9 ，额定= 0.5
图3.增益@ 3V 30毫安。
USL = 18.5 ， LSL = 15，额定= 16.5
图4. OIP3 @ 3V 30毫安。
LSL = 29 ，额定= 30.5
注意事项：
6.分布数据样本大小是从3个不同的晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
