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AT-41435 参数 Datasheet PDF下载

AT-41435图片预览
型号: AT-41435
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内容描述: 高达6 GHz的低噪声硅双极晶体管 [Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 56 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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AT- 41435的典型表现,T
A
= 25°C
24
21
18
G
A
24
16
P
1分贝
( dBm的)
增益(dB )
15
14
13
12
G
A
20
2.0 GHz的
4.0 GHz的
P
1dB
10 V
6V
4V
增益(dB )
15
12
9
6
NF
50
16
8
6
12
2.0 GHz的
4
G
1dB
4.0 GHz的
NF
O
4V
6V
10 V
G
1分贝
( dB)的
4
NF
O
3
2
1
8
3
0
0.5
1.0
2.0
2
0
3.0 4.0 5.0
4
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
频率(GHz )
I
C
(MA )
I
C
(MA )
图1.噪声系数和相关
增益与频率。
V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安。
图2.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图3.最佳的噪声系数和
相关增益与集电极电流
和集电极电压。 F = 2.0千兆赫。
16
40
2.0 GHz的
20
增益(dB )
14
12
G
A
35
30
16
|S
21E
|
2
增益(dB )
味精
1.0 GHz的
增益(dB )
10
8
4.0 GHz的
25
20
15
10
5
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
频率(GHz )
MAG
|S
21E
|
2
12
2.0 GHz的
4
NF
O
2.0 GHz的
NF
O
( dB)的
4.0 GHz的
6
8
4.0 GHz的
4
2
0
10
20
30
40
0
0
0
10
20
30
40
I
C
(MA )
I
C
(MA )
图4.最佳的噪声系数和
相关增益与集电极电流
和频率。 V
CE
= 8 V.
图5.插入功率增益,
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V,I
C
= 25 mA的电流。
图6.插入功率增益与
集电极电流和频率。
V
CE
= 8 V.
4-116
NF
O
( dB)的
NF( dB)的