AT-41435 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AT-41435
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内容描述：	高达6 GHz的低噪声硅双极晶体管 [Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	5 页 / 56 K
品牌：	AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]

AT- 41435绝对最大额定值

符号

EBO

CBO

首席执行官

英镑

参数

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

功耗

[2,3]

结温

储存温度

[4]

单位

°C

绝对

最大

[1]

1.5

500

200

-65〜 200

热阻

[2,5]

= 200 ° C / W

注意事项：

如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。

2. T

例

= 25°C.

3.减免5毫瓦/ ° Ç对于T

> 100℃。

4.存储超过+ 150 ° C可以玷污这个包使得它的引线

难于焊接到电路。后一个设备已被焊接到一个

电路，它可以安全地储存高达200 ℃。

5.此技术产生一个小的光斑尺寸更高，尽管更

准确测定

比其他方法。见测量

MENTS节“热阻”的详细信息。

电气规格，T

= 25°C

符号

21E

1分贝

参数和测试条件

插入功率增益; V

= 8 V，I

= 25毫安

功率输出@ 1 dB增益压缩

= 8 V，I

= 25毫安

1分贝压缩增益; V

= 8 V，I

= 25毫安

最佳的噪声系数： V

= 8 V，I

= 10毫安

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 1.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 1.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

单位

DBM

分钟。

典型值。马克斯。

11.5

6.0

19.0

18.5

14.0

9.5

1.3

1.7

3.0

18.5

14.0

10.0

8.0

150

270

0.2

1.0

2.0

增益@ NF

; V

= 8 V，I

= 10毫安

13.0

GHz的

—

µA

CBO

EBO

增益带宽积： V

= 8 V，I

= 25毫安

正向电流传输比; V

= 8 V，I

= 10毫安

集电极截止电流; V

= 8 V

发射极截止电流; V

= 1 V

集电极电容基地

[1]

: V

= 8 V ， F = 1兆赫

0.2

注意：

一，在本试验中，发射极接地。

4-115

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