ADuC812
参数
数字输出
输出高电压（V
OH
)
ADuC812BS
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
2.4
4.0
输出低电压（V
OL
)
ALE ，
PSEN ，
端口0和2
端口3
浮态泄漏电流
浮态输出电容
电源要求
14, 15, 16
I
DD
普通模式
17
2.4
2.6
单位
V分钟
V典型值
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V至5.5 V
I
来源
= 80 µA
V
DD
= 2.7 V至3.3 V
I
来源
= 20 µA
I
SINK
= 1.6毫安
I
SINK
= 1.6毫安
I
SINK
= 8毫安
I
SINK
= 8毫安
0.4
0.2
0.4
0.2
±10
±1
10
43
32
26
8
25
18
15
7
30
5
0.4
0.2
0.4
0.2
±10
±1
10
25
16
12
3
10
6
6
2
15
5
V最大
V典型值
V最大
V典型值
μA（最大值）
μA （典型值）
pF的典型值
最大mA
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
最大mA
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
I
DD
空闲模式
MCLKIN = 16 MHz的
MCLKIN = 16 MHz的
MCLKIN = 12 MHz的
MCLKIN = 1兆赫
MCLKIN = 16 MHz的
MCLKIN = 16 MHz的
MCLKIN = 12 MHz的
MCLKIN = 1兆赫
I
DD
掉电模式
18
笔记
1
校准后的规格适用。
2
温度范围：-40 ° C至+ 85°C 。
3
在正常的微转换器内核运行的线性度得到了保证。
4
或编程过程中，由于片上电荷泵活动ADC转换时间擦除640字节的Flash / EE空间时，线性度可能会降低。
5
衡量生产的V
DD
= 5 V软件校准例程只有25℃后。
6
用户可能需要执行软件校准例程来实现这些规范，这是结构相关的。
7
偏移和增益校准跨度定义为用户的系统偏置电压范围和增益误差的ADuC812的可以补偿。
8
SNR计算包含失真和噪声分量。
9
规格未经生产测试，但支持产品初始发布时的特性数据。
10
温度传感器会给直接管芯温度的量度空气的温度可从该结果中推断出来。
11
DAC的线性度的计算公式：
减少代码的48 〜4095 ， 0至V系列
REF
范围
减少代码48 3995 ， 0至V系列
DD
范围
DAC输出负载= 10 kΩ和50 pF的。
12
Flash / EE存储器的性能指标有资格按照JEDEC规范（数据保留）和JEDEC规范草案A117 （耐力） 。
13
在下列条件下耐擦写循环进行评估：
模式
=字节编程，页擦除自行车
循环模式
= 00H到FFH
擦除时间
= 20毫秒
节目时间
= 100 µs
14
I
DD
其他MCLKIN频率通常是由下式给出：
正常模式（V
DD
= 5 V):
I
DD
= （ 1.6 NAS
×
MCLKIN ）+ 6毫安
正常模式（V
DD
= 3 V):
I
DD
= （ 0.8 NAS
×
MCLKIN ） + 3毫安
空闲模式（V
DD
= 5 V):
I
DD
= （ 0.75 NAS
×
MCLKIN ）+ 6毫安
空闲模式（V
DD
= 3 V):
I
DD
= （ 0.25 NAS
×
MCLKIN ） + 3毫安
凡MCLKIN是MHz和我得到的振荡频率
DD
值以毫安。
15
I
DD
电流表示为模拟和数字电源电流在正常的微转换器操作的总结。
16
I
DD
在闪速/电擦除程序未测量或擦除周期;我
DD
在这些周期由10毫安通常会增加。
17
模拟I
DD
= 2 MA（典型值），在正常操作（内部V
REF
器，ADC和DAC的外围设备上电） 。
18
EA = P0口= DV
DD
， XTAL1 （输入）连接到DV
DD
这个测量过程。
典型规格未经生产测试，但性能数据，在产品初始版本支持。
时序规格，请参阅页46-55 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请参阅用户手册，快速参考指南，应用手册，以及硅勘误表，在www.analog.com/microconverter了解更多信息。
英文内容
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AD [ ANALOG DEVICES ]
