ADM691A/ADM693A/ADM800L/M
8
OSC SEL
输入
动力
ADM69_A
ADM800_
7
C
OSC
OSC IN
R1
动力
失败
输入
1.25V
PFO
动力
失败
产量
R2
图18D 。内部振荡器（ 100毫秒看门狗）
图20.电源失效比较器
表Ⅲ。在电池备份模式下的输入和输出状态
WDI
信号
V
BATT
V
OUT
状态
电源电流为<1
µA.
V
OUT
连接到V
BATT
经由内部
PMOS开关。
切换比较器监视V
CC
为
主动切换。
0 V.
逻辑高电平。的开路电压等于
到V
OUT
.
逻辑低电平。
OSC IN被忽略。
OSC SEL被忽略。
电源失效比较器仍然活跃在
电池备份模式下的V
CC
≥
V
BATT
-1.2 V.用v
CC
低于这个，是PFO
被拉低。
电源失效比较器仍然活跃在
电池备份模式下的V
CC
≥
V
BATT
-1.2 V.用v
CC
低于这个，是PFO
被拉低。
WDI被忽略。
逻辑高电平。的开路电压等于
到V
OUT
.
高阻抗。
逻辑高电平。的开路电压等于
到V
OUT
.
逻辑低电平。
高阻抗。
WDO
V
CC
t
2
t
3
RESET
GND
BATT ON
t
1
t
1
t
1
=复位时间。
t
1
t
2
= NORMAL （ SHORT ）看门狗超时周期。
t
3
=看门狗超时周期紧跟在复位。
低线
OSC IN
OSC SEL
PFI
图19.看门狗定时
行政长官选通和RAM写保护
所有产品包括内存保护电路，保证了
在存储器中的数据通过防止写操作的完整性
当V
CC
是一个无效的水平。有两个附加引脚，
CE
IN
和
CE
OUT
，控制芯片使能或写输入
的CMOS RAM 。当V
CC
是目前
CE
OUT
是缓冲REP-
的安洁莉卡
CE
IN
，用5 ns的传播延迟。当V
CC
降至低于
低复位电压门限，内部门力量
CE
OUT
高的，独立的
CE
IN
.
PFO
WDI
CE
OUT
CE
IN
WDO
RESET
RESET
CE
OUT
通常驱动CE， CS ，或者写电池的输入
备份CMOS RAM 。这保证了数据的完整性
在内存中，防止写操作时， V
CC
是一个IN-
有效电平。的EEPROM的类似保护可以通过以下方式实现
使用
CE
OUT
驱动Store或写的输入
EEPROM ， EAROM ，或NOVRAM 。
电源失效比较器警告
一个额外的比较器提供了一种用于故障 - 预警
茜在微处理器的电源。在电源故障输入
（PFI）进行比较的内部1.25 V基准。电源
失败输出（ PFO）变低时，在PFI的电压小于
1.3V。通常PFI由外部分压器驱动该
无论是感官的未稳压的直流输入系统的5 V稳压
荡器或稳压5 V输出。分压器比率可以
被选择为使得在PFI的电压低于1.25 V数
毫秒之前的+ 5V供电电压下降至低于复位
门槛。
PFO
通常用来中断微处理器
使得数据可以被存储在RAM中的关断proce-
杜热执行电源中断之前。
第0版
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