ADM691A/ADM693A/ADM800L/M
应用信息
增加驱动电流
输入
动力
R1
1.25V
（ PFO ）
TO
μP NMI
如果在V的连续输出电流要求
OUT
超过
250毫安或者如果下侧的V
CC
–V
OUT
电压差是需要的，一个
外部PNP调整晶体管可以并联连接
内部晶体管。棉絮ON输出可以驱动
基经由电流限制晶体管的外部晶体管。
+5V
输入
动力
PNP
晶体管
0.1µF
0.1µF
PFI
R2
R3
V
H
=
1.25 1+
R2+R3
R2
×
R3
R1
5V
V
L
= 1.25+R1
1.25
V
CC
–1.25
R2
R3
PFO
V
MID
=
1.25
R1+R2
R2
V
CC
V
BATT
电池
BATT
ON
V
OUT
0V
0V
V
L
V
IN
V
M
图21.增加驱动电流
使用可充电电池备份
图23.添加滞后于电源失效比较器
典型工作电路
如果一个电容器或可再充电电池被用于备份，然后
充电电阻应连接到V
OUT
因为这
消除了将功率中存在放电路径
下来，如果电阻被连接到V
CC.
+5V
输入
动力
I=
0.1µF
R
V
CC
RECHARGEABLE
电池
V
BATT
V
OUT
0.1µF
V
OUT
– V
BATT
R
一个典型的工作电路示于图24中的电路
设有电源监控，备用电池切换
和看门狗时序。
CMOS RAM是从V供电
OUT
。当5 V电源
目前，这种被路由到V
OUT
。如果V
CC
失败，则V
BATT
is
路由到V
OUT
. V
OUT
可以从V到250 mA电源了
CC
但
如果需要更多的电流，外部PNP晶体管可以是
补充说。当V
CC
是比V更高
BATT
和复位门限，
BATT ON变为低电平时，为所述外部转录提供基极驱动
体管。当V
CC
是比V低
BATT
和复位门限，
内部7
Ω.
MOSFET备用电池连接
V
OUT
.
复位输出
ADM69_A
ADM800_
图22.充电电池
添加滞后于电源失效比较器
对增加的噪声的免疫力，滞后可被添加到该
电源失效比较器。因为比较器电路是同相，
磁滞可以简单地通过连接端之间的电阻被添加
该
PFO
输出和PFI的输入，如图23，当
PFO
低时，电阻器R3吸收来自求和点电流
在PFI引脚。当
PFO
高， R3的源电流流入
PFI求和点。这将导致以不同的断路电平的
比较器。因此，电阻R1和R2设置触发点
而R3增加了滞后。 R3应大于10千欧，使
它不引起对PFO输出过载。额外
tional噪声抑制和滤波可以通过添加来实现
电容， PFI至GND 。
内部电压检测器监视V
CC
并产生一
RESET
输出保持在微处理器的
RESET
低线
当V
CC
低于复位门限。一个内部定时器持有
RESET
低为200毫秒后V
CC
上升到高于阈值。
这可以防止重复来回切换
RESET
即使在5伏
功率下降了，并恢复与每个电源周期。
早期电源故障检测器
输入电源线，通过一个电阻电位二 - 监视
vider连接到电源故障输入（ PFI ） 。当电压
年龄在PFI低于1.25 V时，电源故障输出（ PFO ）
驱动处理器的NMI输入低电平。如果一个电源故障的阈值
7 V被设置电阻R1和R2中，微处理器将
当V有时间
CC
低于7 V到的数据保存到
内存。电源电容会延长可用时间。
这将允许更多的时间微处理器管家
要完成任务的动力消失之前。
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第0版
AD [ ANALOG DEVICES ]
