ADG711/ADG712/ADG713
特定网络阳离子
V
DD
= + 5V ±10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
C
D
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.05
0.3
1.0
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
=最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图11
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V
见图13
0.5
±0.2
±0.2
±0.2
2.4
0.8
0.005
±0.1
11
16
6
10
6
1
3
−58
−78
−90
200
10
10
22
0.001
1.0
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图15
V
S
= 2 V ; ř
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
1
通过设计保证，不受生产测试。
版本B |第16页3
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