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ADG419BRM 参数 Datasheet PDF下载

ADG419BRM图片预览
型号: ADG419BRM
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内容描述: LC2MOS精密的Mini- DIP模拟开关 [LC2MOS Precision Mini-DIP Analog Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 16 页 / 317 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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ADG419
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0 V, V
L
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
B版本
-40 ° C至-40 ° C至
+85°C
+125°C
0到V
DD
40
60
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±5
±15
70
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±15
40
70
T版
-55℃〜
+25°C +125°C
0到V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
+25°C
单位
V
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
D
= 3 V , 8.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= 10.8 V
V
DD
= 13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
见图12
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
见图12
V
S
= V
D
= 12.2 V / 1 V ;参见图13
流掉泄漏,我
D
(关闭)
±5
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
250
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
过渡
突破前先延时,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
L
V
IN
= V
INL
或V
INH
180
60
80
90
13
65
0.0001
1
0.0001
1
250
170
60
80
70
13
65
0.0001
1
0.0001
1
250
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的; V
S1
= 0 V/8 V,
V
S2
= 8 V / 0 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图15
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图16
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图17
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 13.2 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
L
= 5.5 V
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 125°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页4