ADF4002
特定网络阳离子
AV
DD
æ DV
DD
= 3 V± 10 ％ ， AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V ， AGND = DGND = CPGND = 0 V ，R
SET
= 5.1 kΩ的， dBm的简称50 Ω ，
T
A
= T
最大
给T
民
中，除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入灵敏度
RF输入频率（ RF
IN
)
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏
I
CP
与V
CP
漏极和源极电流匹配
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
，输入高电压
V
IL
，输入低电压
I
INH
, I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OH
，输出电压高
I
OH
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD 5
（ AI
DD
+ DI
DD
)
I
P
掉电模式
噪声特性
归一化相位噪声楼
1
2
民
−10
5
20
0.8
B版本
典型值
最大
0
400
300
V
DD
10
±100
200
单位
DBM
兆赫
兆赫
V P-P
pF
μA
兆赫
测试条件/评论
参见图12，用于输入电路
射频
IN
< 5兆赫，确保压摆率（ SR ） > 4 V / μs的
对于REFIN < 20兆赫，确保SR > 50 V / μs的
偏置AV
DD
/2
可编程，参见图19
5
625
2.5
3.0
1
1.5
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
– 0.4
100
0.4
2.7
AV
DD
AV
DD
5.0
1
–222
3.3
5.5
6.0
0.4
11
mA
μA
%
kΩ
nA
%
%
%
V
V
μA
pF
V
V
μA
V
V
V
mA
mA
μA
dBc的/赫兹
AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V
T
A
= 25°C
AI
DD
+ DI
DD
漏极开路输出选择， 1 kΩ的上拉电阻，以1.8 V
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
见图19
T
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
– 0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
– 0.5 V
V
CP
= V
P
/2
工作温度范围（B版）是-40 ° C至+ 85°C 。
AV
DD
æ DV
DD
= 3 V.
3
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
4
通过设计保证。样品测试，以确保合规性。使用PFD的频率高于104 MHz的要求使最小反冲脉冲宽度。
5
T
A
= 25°C ; AV
DD
æ DV
DD
= 3 V ; RF
IN
= 350兆赫。目前用于任何其他的设置（25℃ ， 3.0V）以mA由2.35 + 0.0046 （REFIN ）+ 0.0062 （RF）， RF频率和REFIN定
频率以MHz为单位。
6
归一化的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN （其中N为N分频器值）
和10logF
PFD
。 PN
SYNTH
= PN
合计
- 10logF
PFD
- 20logN 。所有的相位噪声测量用Agilent E5500相位噪声测试系统进行的，使用进行评价，
ADF4002EB1和HP8644B作为PLL的参考。
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