AD8138
绝对最大额定值
表5 。
参数
电源电压
V
OCM
内部功耗
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
结温
评级
±5.5 V
±V
S
550毫瓦
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
150°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
消散在封装的功率（P
D
）是的总和
静态功耗和消耗在电源
包由于对所有输出的负载驱动。静态
电源之间的电源引脚上的电压（V
S
）倍的
静态电流（我
S
） 。负载电流由所述差分的
和共模电流流向负载，以及
流经外部反馈网络的电流和
内部共模反馈环路。内部电阻抽头
在共模反馈环路中使用放置一个可忽略不计
差分负载上的输出。均方根电压和电流
当交流信号处理应予以考虑。
气流减少θ
JA
。此外，更多的直接接触金属
与金属走线通孔的封装引线，接地
和电源层降低了θ
JA
.
包装与环境温度为8引脚SOIC
（ 121 ° C / W）和8引脚MSOP （ θ
JA
= 145 ° C / W）上的包
JEDEC标准4层板。 θ
JA
值是近似值。
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下，也就是θ
JA
is
用于焊接在电路板上，在静止空气的设备指定。
表6 。
套餐类型
8引脚SOIC / 4层
8引脚MSOP / 4层
θ
JA
121
145
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散（ W）
最大功率耗散
在AD8138封装内的最大安全功耗
通过在结温的升高相关（T限制
J
）上
模具中。在约150 ℃，这是在玻璃化转变
温度下，塑料改变其性质。即使是暂时的
超过这一温度限值可以改变压力的
包施加在模具上，从而永久性地转变参数
在AD8138的性能。超过结温
在150 ℃下长时间可导致变化的
硅器件，因而可能造成故障。
SOIC
MSOP
0.50
0.25
01073-049
0
–40 –30 –20 –10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
环境温度（ ℃）
图3.最大功率耗散与温度的关系
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
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