AD8129/AD8130
绝对最大额定值
表4 。
参数
电源电压
功耗
输入电压（任意输入）
差分输入电压（ AD8129 ）
V
S
≥ ±11.5 V
差分输入电压（ AD8129 ）
V
S
< ± 11.5 V
差分输入电压（ AD8130 ）
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
结温
等级
26.4 V
请参考图4
−V
S
- 0.3 V至+ V
S
+ 0.3 V
±0.5 V
±6.2 V
±8.4 V
-65 ° C至+ 150°C
300°C
150°C
消散在封装的功率（P
D
）是的总和
静态功耗和消耗在电源
包由于负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压（V
S
）倍的静态
电流（I
S
） 。由于耗散到负载驱动功率
取决于特定的应用。功率因
负载驱动器通过乘以负载电流所计算出的
跨器件相关联的电压降。 RMS电压和
电流必须在这些计算中被使用。
气流减少θ
JA
。此外，更多的直接接触金属
与金属走线通孔的封装引线，接地
和电源层降低了θ
JA
.
包装与环境温度为8引脚SOIC
（ 121 ° C / W）和MSOP （ θ
JA
= 142 ° C / W）在JEDEC封装
标准的4层电路板。 θ
JA
值是近似值。
1.75
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下，也就是θ
JA
is
用于焊接在电路板上，在静止空气的设备指定。
表5.热阻
套餐类型
8引脚SOIC / 4层
8引脚MSOP / 4层
θ
JA
121
142
单位
° C / W
° C / W
最大功率耗散（ W）
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
1.50
1.25
1.00
SOIC
0.75
MSOP
0.50
0.25
02464-005
最大功率耗散
在AD8129 / AD8130的最大安全功耗
包被在路口相关的崛起TEMP-限制
erature （T
J
）在模具上。在约150℃ ，这是
玻璃化转变温度，塑性改变其性质。
即使只是暂时超过这一温度限值也会改变
该程序包施加在模具中，永久的应力
移位AD8129 / AD8130的参数性能。
一个扩展超过150 ℃的结温
期间可导致变化的硅器件，有可能
导致失败。
0
–40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
环境温度（ ℃）
图4.最大功耗与温度的关系
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本C |第9页的40
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