AD8051/AD8052/AD8054
工作原理
电路描述
的AD8051 / AD8052 / AD8054被制造在所述模拟
Devices，Inc.公司专有的超高速互补双极型
（ XFCB ）工艺，从而使PNP型的结构和
NPN型晶体管，在2GHz至4 GHz区域相似FTS 。
该过程被介电隔离，以消除寄生
和闭锁引起的结隔离的问题。这些
特征允许高频率的构造，低失真
放大器具有低电源电流。本设计采用差分
输出输入级，以最大限度地提高带宽和净空（见
输出（节点的SIP ， SIN）的减少非线性电流的作用
由于结电容和改善失真per-
性能。这种设计实现-80 dBc的谐波失真
@ 1 MHz时为100 Ω， V
OUT
= 2 V P-P （增益= 1 ）上
5 V单电源。
V
CC
R26
Q4
R15 R2
V
IN
P
V
IN
N
SIP
Q2
罪
Q11
Q24
R3
I7
Q47
I11
I8
V
CC
01062-045
该装置的输入可以从-0.2 V以下时处理的电压
负轨内的正电源轨的1 V 。超额
这些值不引起相位反转;然而，输入
ESD器件开始导通，如果输入电压超过
导轨由大于0.5V。在这个过激励状态下，
输出保持在轨道上。
在AD8051 / AD8052 / AD8054的轨到轨输出范围
由互补共射极输出级提供。
高输出驱动能力是通过注入所有的输出提供
阶段预驱动电流直接进入输出的基
设备Q8和Q36 。 Q8和Q36的偏置由完成
I8和I5 ，以及一个共模反馈回路（未
示出）。该电路拓扑结构允许AD8051 / AD8052以
驱动输出电流为45 mA和允许AD8054驱动
输出电流与输出在0.5 V的30日均线
电源轨。
I10
R39
Q5
I2
I3
Q25
Q51
Q50
Q39
Q23
I9
Q36
I5
V
EE
C3
V
OUT
C9
Q8
Q40
V
EE
Q22
Q7
Q21
Q27
R23 R27
Q31
Q13
Q1
Q3
R5
R21
C7
V
EE
图40. AD8051 / AD8052原理示意图
修订版H |第16页24
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