AD7893
时序特性
1, 2
(V
参数
t
1
t
2
t
3
t
4 3
t
5 4
A，B
版本
50
60
30
50
10
100
50
70
40
60
10
100
DD
= + 5V ， AGND = DGND = 0 V ， REF IN = + 2.5V ）
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最大值）
测试条件/评论
CONVST
脉冲宽度
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
SCLK上升沿到数据有效延迟
落SCLK的上升沿后的总线释放时间
S
VERSION
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有的输入信号被测量与指定tR = tF = 1纳秒（10％至90％的+ 5V）和定时从1.6 V的电压电平
2
见图5 。
3
测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
4
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推回
以除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
5
在时序特性所是真正的总线释放时间
的内容，并且作为这样的，不依赖于外部总线负载电容。
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入电压至AGND
AD7893-10 ， AD7893-5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
17 V
AD7893-2 ， AD7893-3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5 V ， + 10 V
基准输入电压至AGND 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（S版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
CERDIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
1.6mA
TO
产量
针
50pF
+2.1V
200µA
图1.负载电路的访问时间和客车
放弃时间
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD7893具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
英文内容
–3–
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